|
|
Microdefects in Czochralski Silicon
Válek, Lukáš ; Fejfar, Antonín (oponent) ; Mikulík, Petr (oponent) ; Spousta, Jiří (vedoucí práce)
The doctoral thesis deals with analyses of defects in single crystals of Czochralski silicon doped with boron. Mechanisms of formation of circular patterns of oxidation induced stacking faults are studied. The main goal of the work is to explain the mechanisms of formation of the observed defect patterns and to develop methods for control of this phenomenon. Mechanisms of defect formation in silicon are analyzed and the material is experimentally studied in order to explain relations between formation of defects of various kinds and to link these processes to parameters of the crystal and its growth. A qualitative model capturing all these relations is built and utilized to develop an optimized crystal growth process for suppression of excessive formation of the oxidation induced stacking faults. Novel methods are developed and implemented to support effective analyses of crystal defects. This doctoral thesis was written with the support of ON Semiconductor Czech Republic, Rožnov pod Radhoštěm.
|
|
|
Detekce a studium krystalových defektů v Si deskách pro elektroniku
Páleníček, Michal ; Tichopádek, Petr (oponent) ; Urbánek, Michal (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá studiem a vyhodnocováním krystalografických defektů na povrchu křemíkových desek vyrobených Czochralského metodou. Zaměřuje se především na růstové defekty a kyslíkové precipitáty, které hrají významnou roli při vzniku vhodných nukleačních center pro růst vrstevných chyb. Růst vrstevných chyb v blízkosti povrchu křemíkových desek je podpořen jejich oxidací a selektivním leptáním. Takto výrazněné vrstevné chyby se označují jako OISF z anglického Oxidation Induced Stacking Fault. Prostorové rozložení OISF na desce dává zpětnou vazbu k procesu tažení monokrystalu křemíku a kvalitě povrchu desek. Dále je v této práci popis zařízení pro automatickou detekci a analýzu OISF, které bylo vyvinuto pro firmu ON Semiconductor v Rožnově pod Radhoštěm.
|
|
|
Microdefects in Czochralski Silicon
Válek, Lukáš ; Fejfar, Antonín (oponent) ; Mikulík, Petr (oponent) ; Spousta, Jiří (vedoucí práce)
The doctoral thesis deals with analyses of defects in single crystals of Czochralski silicon doped with boron. Mechanisms of formation of circular patterns of oxidation induced stacking faults are studied. The main goal of the work is to explain the mechanisms of formation of the observed defect patterns and to develop methods for control of this phenomenon. Mechanisms of defect formation in silicon are analyzed and the material is experimentally studied in order to explain relations between formation of defects of various kinds and to link these processes to parameters of the crystal and its growth. A qualitative model capturing all these relations is built and utilized to develop an optimized crystal growth process for suppression of excessive formation of the oxidation induced stacking faults. Novel methods are developed and implemented to support effective analyses of crystal defects. This doctoral thesis was written with the support of ON Semiconductor Czech Republic, Rožnov pod Radhoštěm.
|
|
|
Detekce a studium krystalových defektů v Si deskách pro elektroniku
Páleníček, Michal ; Tichopádek, Petr (oponent) ; Urbánek, Michal (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá studiem a vyhodnocováním krystalografických defektů na povrchu křemíkových desek vyrobených Czochralského metodou. Zaměřuje se především na růstové defekty a kyslíkové precipitáty, které hrají významnou roli při vzniku vhodných nukleačních center pro růst vrstevných chyb. Růst vrstevných chyb v blízkosti povrchu křemíkových desek je podpořen jejich oxidací a selektivním leptáním. Takto výrazněné vrstevné chyby se označují jako OISF z anglického Oxidation Induced Stacking Fault. Prostorové rozložení OISF na desce dává zpětnou vazbu k procesu tažení monokrystalu křemíku a kvalitě povrchu desek. Dále je v této práci popis zařízení pro automatickou detekci a analýzu OISF, které bylo vyvinuto pro firmu ON Semiconductor v Rožnově pod Radhoštěm.
|
|
| |
host ::
RSS.